真空手套箱蒸發(fā)鍍膜
真空手套箱真空蒸發(fā)手套箱(簡稱為蒸鍍)是PVD專業(yè)技能中發(fā)展早、技術(shù)應(yīng)用比較廣泛的手套箱技術(shù)婿崭。雖然后來發(fā)展上來的濺射鍍和離子鍍在很多方面要比蒸鍍有優(yōu)勢逗宜,但真空蒸騰專業(yè)技能仍有很多優(yōu)點仑濒,如專用設(shè)備與加工工藝相對性的比較簡單蝙场,既能鍍制非常純潔的膜層,又可制備具有著特殊結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的膜層等侮东,依然是現(xiàn)如今非常重要的手套箱專業(yè)技能圈盔。近幾年來,因為電子炮擊蒸騰悄雅,高頻感應(yīng)蒸騰及激光蒸騰等專業(yè)技能在蒸騰手套箱專業(yè)技能中的廣泛應(yīng)用驱敲,使這一專業(yè)技能日趨完善。
將膜材放置于真空手套箱室內(nèi)宽闲,利用蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)众眨,當(dāng)蒸發(fā)分子的平均自由程大于真空手套箱室的線性尺度時握牧,蒸汽的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后,很少遭到其他分子或原子的沖擊阻攔娩梨,可直接抵達(dá)被鍍的基片表面我碟,由于基片溫度較低,便凝聚其上而成膜姚建,為了提高蒸發(fā)分子與基片的附著力,對基片進(jìn)行適當(dāng)?shù)募訜崾潜匦璧闹ㄑ场槭拐舭l(fā)手套箱順利進(jìn)行掸冤,應(yīng)具備蒸發(fā)過程中的真空條件和制膜過程中的蒸發(fā)條件。
蒸發(fā)過程中的真空條件:真空手套箱室內(nèi)蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的間隔(稱之為蒸距)時友雳,就會獲得充分的真空條件稿湿。因此,增加剩余氣體的平均自由程押赊,進(jìn)而削減蒸汽分子與剩余氣體分子的碰撞概率饺藤,把真空手套箱室抽成高真空是十分必要的。
真空手套箱過程中對真空度的要求并非是越高越好流礁,因為在真空手套箱室內(nèi)真空度逾越10-6Pa時涕俗,有必要對真空體系烘烤去氣才能達(dá)到。因為烘烤去氣會形成基片的污染神帅,因而在不通過烘烤去氣時即可得到10-5Pa的高真空下制膜再姑,其膜的質(zhì)量不一定比超高真空下所制備的膜的質(zhì)量差,這一點是值得注意的找御。因而元镀,在真空蒸騰手套箱設(shè)備中,手套箱室所選用的真空度一般均應(yīng)高于10-2Pa霎桅,低于10-5Pa栖疑。
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